| 型号： | IRF9952TR | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| IRF9952TR PDF |  |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) |